Fabrikantnummer

Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 137.5 A, 80 V, 8-Pin SO-8

RS-stocknr.:: 225-9931
Fabrikantnummer:: SIR5802DP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 137.5 A, 80 V, 8-Pin SO-8

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.625,00

(excl. BTW)

€ 3.177,00

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
3000 +	€ 0,875	€ 2.625,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 225-9931
Fabrikantnummer:: SIR5802DP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	137.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SO-8
	Series	N-Channel 80 V
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	60nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	5.26mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 137.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SO-8
	Series N-Channel 80 V
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 5.26mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR5802DP-T1-RE3

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.