Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR582DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,01

(excl. BTW)

€ 9,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.275 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,602€ 8,01
50 - 120€ 1,506€ 7,53
125 - 245€ 1,364€ 6,82
250 - 495€ 1,28€ 6,40
500 +€ 1,202€ 6,01

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-5387
Fabrikantnummer:
SiR582DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

116A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0034Ω

Maximum Power Dissipation Pd

92.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.15mm

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 116 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links