Vishay E Type N-Channel MOSFET, 165.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 126,95

(excl. BTW)

€ 153,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 350 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 2,539€ 126,95
100 - 200€ 2,133€ 106,65
250 +€ 2,031€ 101,55

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2878
Fabrikantnummer:
SIHP21N80AEF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

165.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links