Vishay E Type N-Channel MOSFET, 165.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP21N80AEF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 18,35

(excl. BTW)

€ 22,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 375 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 3,67€ 18,35
50 - 120€ 3,304€ 16,52
125 - 245€ 3,12€ 15,60
250 - 495€ 2,68€ 13,40
500 +€ 2,314€ 11,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2879
Fabrikantnummer:
SIHP21N80AEF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

165.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links