Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP6N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,88

(excl. BTW)

€ 10,745

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 860 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,776€ 8,88
50 - 120€ 1,596€ 7,98
125 - 245€ 1,42€ 7,10
250 - 495€ 1,334€ 6,67
500 +€ 1,24€ 6,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2881
Fabrikantnummer:
SiHP6N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links