Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,84

(excl. BTW)

€ 13,12

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 21.720 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,084€ 10,84
100 - 240€ 1,02€ 10,20
250 - 490€ 0,923€ 9,23
500 - 990€ 0,868€ 8,68
1000 +€ 0,812€ 8,12

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2912
Fabrikantnummer:
SiR876BDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

71.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links