Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS23DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 10,14

(excl. BTW)

€ 12,26

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.900 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,507€ 10,14

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1314
Fabrikantnummer:
SISS23DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links