Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS27DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 12,38

(excl. BTW)

€ 14,98

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 4.320 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,619€ 12,38
200 - 480€ 0,489€ 9,78
500 - 980€ 0,433€ 8,66
1000 - 1980€ 0,372€ 7,44
2000 +€ 0,31€ 6,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1323
Fabrikantnummer:
SISS27DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

92nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links