STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 46 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL STO65N60DM6

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,90

(excl. BTW)

€ 13,18

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 466 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 5,45€ 10,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-3053
Fabrikantnummer:
STO65N60DM6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

46A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-LL

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

76mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

320W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Gerelateerde Links