Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 408 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG011N08NM5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,52

(excl. BTW)

€ 6,68

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.782 stuk(s) vanaf 26 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,76€ 5,52

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
233-4385
Fabrikantnummer:
IPTG011N08NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

408A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

IPTG

Package Type

HSOG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

178nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

8.75 mm

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG011N08NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 5 - 80 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board. This result in 2x higher thermal cycling on board

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Gerelateerde Links