Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 366 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOG

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1800 eenheden)*

€ 3.024,00

(excl. BTW)

€ 3.654,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 26 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1800 +€ 1,68€ 3.024,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
233-4386
Fabrikantnummer:
IPTG014N10NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

366A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HSOG

Series

IPTG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

169nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.4mm

Length

10.1mm

Width

8.75 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG014N10NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 5 - 100 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Gerelateerde Links