Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 108 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG111N20NM3FDATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 13,82

(excl. BTW)

€ 16,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.760 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 6,91€ 13,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
233-4389
Fabrikantnummer:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

IPTG

Package Type

HSOG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

8.75 mm

Height

2.4mm

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG111N20NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 3 - 200 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Gerelateerde Links