Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 366 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG014N10NM5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,82

(excl. BTW)

€ 11,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 986 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 4,91€ 9,82
10 - 18€ 4,32€ 8,64
20 - 48€ 4,02€ 8,04
50 - 98€ 3,73€ 7,46
100 +€ 3,485€ 6,97

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
233-4387
Fabrikantnummer:
IPTG014N10NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

366A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IPTG

Package Type

HSOG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

169nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.4mm

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Width

8.75 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG014N10NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 5 - 100 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Gerelateerde Links