ROHM Type N-Channel MOSFET, 4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6504KND3TL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,52

(excl. BTW)

€ 10,31

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 75 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,704€ 8,52
50 - 95€ 1,548€ 7,74
100 - 245€ 1,20€ 6,00
250 - 995€ 1,174€ 5,87
1000 +€ 0,78€ 3,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
235-2683
Fabrikantnummer:
R6504KND3TL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.05Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.4mm

Height

10.4mm

Automotive Standard

No

The ROHM R6xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. It achieve higher efficiency via high-speed switching. High-speed switching makes it possible to contribute to higher efficiency in PFC and LLC circuits.

Low on-resistance

Ultra fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

Gerelateerde Links