ROHM Type N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6509END3TL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 14,15

(excl. BTW)

€ 17,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 85 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,83€ 14,15
50 - 95€ 2,396€ 11,98
100 - 245€ 2,05€ 10,25
250 - 995€ 1,704€ 8,52
1000 +€ 1,664€ 8,32

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
235-2690
Fabrikantnummer:
R6509END3TL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

585mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

10.4mm

Width

2.4 mm

Length

6.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

Gerelateerde Links