Toshiba Type P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 9,00

(excl. BTW)

€ 11,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 50 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 150 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 2.750 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,18€ 9,00
100 - 200€ 0,16€ 8,00
250 - 450€ 0,157€ 7,85
500 - 950€ 0,154€ 7,70
1000 +€ 0,144€ 7,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
236-3573
Fabrikantnummer:
SSM3J356R,LF(T
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.3nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.9 mm

Height

0.8mm

Length

2.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Gerelateerde Links