Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 7 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SIHA21N80AEF-GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-8625
Fabrikantnummer:
SIHA21N80AEF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.22Ω

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay E series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Low switching and conduction losses

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.