Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.590,00

(excl. BTW)

€ 3.135,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,518€ 2.590,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
241-9696
Fabrikantnummer:
BSZ018NE2LSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSZ

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which has Pb-free lead plating. It is optimized for high performance Buck converter.

Very low on-resistance

Qualified according to JEDEC for target applications

Gerelateerde Links