Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 3.092,00

(excl. BTW)

€ 3.742,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 1,546€ 3.092,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-0892
Fabrikantnummer:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

IAUT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 Specifically designed for Automotive applications, this Cellular Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

N-channel - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Gerelateerde Links