Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IAUT300N08S5N014ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,80

(excl. BTW)

€ 5,81

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.985 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 4,80
10 - 24€ 4,56
25 - 49€ 4,37
50 - 99€ 4,18
100 +€ 3,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-0893
Fabrikantnummer:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

IAUT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 Specifically designed for Automotive applications, this Cellular Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

N-channel - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Gerelateerde Links