Infineon iPB N-Channel MOSFET, 100 A, 120 V Enhancement TO-263 IPB100N12S305ATMA1

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 2.544,00

(excl. BTW)

€ 3.078,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 2,544€ 2.544,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3795
Fabrikantnummer:
IPB100N12S305ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.