Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 3.050,00

(excl. BTW)

€ 3.700,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,61€ 3.050,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
249-6890
Fabrikantnummer:
IAUC60N04S6N031HATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-TM6

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

Gerelateerde Links