Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 678,00

(excl. BTW)

€ 820,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 - 2000€ 0,339€ 678,00
4000 +€ 0,322€ 644,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-5548
Fabrikantnummer:
IRFR7446TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.9mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Power Dissipation Pd

98W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and it’s used for OR-ing and redundant power switches and DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters.

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dv/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

Gerelateerde Links