Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V PQFN

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 1.380,00

(excl. BTW)

€ 1.668,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,345€ 1.380,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-9388
Fabrikantnummer:
IRFHM830TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

37W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRFHM series is the 30V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 3.3x3.3 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount package

Potential alternative to high RDS (on) Super SO 8 package


Gerelateerde Links