Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB020N10N5LFATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,15

(excl. BTW)

€ 3,81

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.525 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,15
10 - 24€ 2,99
25 - 49€ 2,87
50 - 99€ 2,75
100 +€ 2,55

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3786
Fabrikantnummer:
IPB020N10N5LFATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Maximum Power Dissipation Pd

313W

Forward Voltage Vf

0.89V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

High max. pulse current

High continuous pulse current

Rugged linear mode operation

Low conduction losses

Gerelateerde Links