Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS-stocknr.:
- 262-5858
- Fabrikantnummer:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*
€ 622,40
(excl. BTW)
€ 752,80
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | € 0,778 | € 622,40 |
| 1600 + | € 0,759 | € 607,20 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 262-5858
- Fabrikantnummer:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
Gerelateerde Links
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB015N06NF2SATMA1
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB013N06NF2SATMA1
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N06NF2SATMA1
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB011N04NF2SATMA1
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB012N04NF2SATMA1
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB014N04NF2SATMA1
- Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB023N04NF2SATMA1