Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 100 A, 120 V Enhancement TO-263 IPB100N12S305ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,29

(excl. BTW)

€ 3,98

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 860 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,29
10 - 24€ 2,96
25 - 49€ 2,76
50 - 99€ 2,58
100 +€ 2,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3796
Fabrikantnummer:
IPB100N12S305ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Gerelateerde Links