Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, -120 A, -40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
- RS-stocknr.:
- 258-3797
- Fabrikantnummer:
- IPB120P04P404ATMA2
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal (1000 eenheden, op een rol van 1000)*
€ 948,00
(excl. BTW)
€ 1.147,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 0,948 | € 948,00 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 258-3797
- Fabrikantnummer:
- IPB120P04P404ATMA2
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.50mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.50mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
Gerelateerde Links
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120P04P4L03ATMA2
- Infineon iPB N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 120 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB120N04S402ATMA1