Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.060,00

(excl. BTW)

€ 1.282,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,424€ 1.060,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3843
Fabrikantnummer:
IPD50P04P4L11ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Gerelateerde Links