Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 182 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRF200P222

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3959
Fabrikantnummer:
IRF200P222
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

182A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-247AC

Series

HEXFET

Mount Type

Surface Mount, Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.6mΩ

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Maximum Power Dissipation Pd

556W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness, it is fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability

Lead-free, RoHS compliant

Gerelateerde Links