Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

Subtotaal (1000 eenheden, op een rol van 1000)*

€ 1.843,00

(excl. BTW)

€ 2.230,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,843€ 1.843,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
260-5119
Fabrikantnummer:
IPB180N06S4H1ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.