Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,05

(excl. BTW)

€ 7,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.975 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,21€ 6,05
50 - 120€ 1,088€ 5,44
125 - 245€ 1,014€ 5,07
250 - 495€ 0,786€ 3,93
500 +€ 0,658€ 3,29

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6779
Fabrikantnummer:
IRFU4510PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

143W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.39mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Gerelateerde Links