Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin Micro6 IRLMS1503TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 15,05

(excl. BTW)

€ 18,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,301€ 15,05
100 - 200€ 0,226€ 11,30
250 - 450€ 0,214€ 10,70
500 - 1200€ 0,199€ 9,95
1250 +€ 0,166€ 8,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6786
Fabrikantnummer:
IRLMS1503TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

Micro6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

200mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-41-683

The Infineon power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFET well known for, provide the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low Rds

N-channel

Gerelateerde Links