Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK085N60EF-T1GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,38

(excl. BTW)

€ 12,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 19 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 10,38
50 - 99€ 9,34
100 - 249€ 7,66
250 +€ 7,49

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8307
Fabrikantnummer:
SIHK085N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correct

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Gerelateerde Links