Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4 BSC076N04NDATMA1

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.045,00

(excl. BTW)

€ 2.475,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,409€ 2.045,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2627
Fabrikantnummer:
BSC076N04NDATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TDSON-8-4

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automotive Standard

No

The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for drives applications and it is 100 percent avalanche tested. It is qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47 20 2.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Fast switching MOSFETs

Superior thermal resistance

Gerelateerde Links