Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPB65R660CFDAATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 1.141,00

(excl. BTW)

€ 1.381,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,141€ 1.141,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2999
Fabrikantnummer:
IPB65R660CFDAATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.66Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 650V cool MOS CFDA super junction MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage cool MOS power MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the auto

Reduced EMI appearance and easy to design in

Better light load efficiency

Lower switching losses

Gerelateerde Links