Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH150N60E-T1-GE3

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 7.638,00

(excl. BTW)

€ 9.243,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 2,546€ 7.638,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9913
Fabrikantnummer:
SIHH150N60E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

SIHH

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Gerelateerde Links