Vishay SIS N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 672,00

(excl. BTW)

€ 813,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 6.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,224€ 672,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
268-8339
Fabrikantnummer:
SIS112LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

SIS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.119Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

19.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is single configuration MOSFET. It is lead free and halogen free and It is used an application as primary side switch, motor drive switch and boost converter.

Tuned for the lowest figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.