Vishay SIHK N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60EF-T1GE3

Subtotaal (2000 eenheden, op een rol van 2000)*

€ 5.118,00

(excl. BTW)

€ 6.192,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 2,559€ 5.118,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9917
Fabrikantnummer:
SIHK155N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.