Vishay SIHR Type N-Channel MOSFET, 51 A, 600 V Enhancement, 8-Pin 8x8LR

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 8.040,00

(excl. BTW)

€ 9.720,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 18 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 2,68€ 8.040,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9928
Fabrikantnummer:
SIHR080N60E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

8x8LR

Series

SIHR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Gerelateerde Links