Fabrikantnummer

Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3

RS-stocknr.:: 279-9931
Fabrikantnummer:: SIJ4106DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 10,34

(excl. BTW)

€ 12,512

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 15 juli 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
4 - 56	€ 2,585	€ 10,34
60 - 96	€ 1,935	€ 7,74
100 - 236	€ 1,725	€ 6,90
240 - 996	€ 1,693	€ 6,77
1000 +	€ 1,663	€ 6,65

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 279-9931
Fabrikantnummer:: SIJ4106DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	59A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SIJ
	Package Type	SO-8L
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0083Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69.4W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.13mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 59A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SIJ
	Package Type SO-8L
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0083Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69.4W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.13mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIJ4106DP-T1-GE3

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.