Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 8,98

(excl. BTW)

€ 10,864

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 15 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,245€ 8,98
60 - 96€ 1,68€ 6,72
100 - 236€ 1,498€ 5,99
240 - 996€ 1,468€ 5,87
1000 +€ 1,443€ 5,77

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9931
Fabrikantnummer:
SIJ4106DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8L

Series

SIJ

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0083Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.13mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links