Vishay Type P-Channel MOSFET, 13.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4155DY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,40

(excl. BTW)

€ 9,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.040 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,74€ 7,40
100 - 490€ 0,696€ 6,96
500 - 990€ 0,629€ 6,29
1000 - 2490€ 0,592€ 5,92
2500 +€ 0,556€ 5,56

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
252-0246
Fabrikantnummer:
SI4155DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

13.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

5.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. P-Channel MOSFETS substrate contains electrons and electron holes. P-Channel MOSFETs are connected to a positive voltage. These MOSFETs turn on when the voltage supplied to the Gate terminal is lower than the Source voltage.

TrenchFET power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links