Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 56.7 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4108DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 8,40

(excl. BTW)

€ 10,16

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,10€ 8,40
60 - 96€ 2,00€ 8,00
100 - 236€ 1,785€ 7,14
240 - 996€ 1,755€ 7,02
1000 +€ 1,723€ 6,89

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9934
Fabrikantnummer:
SIJ4108DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIJ

Package Type

SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.13mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links