Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 56.7 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4108DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 7,96

(excl. BTW)

€ 9,64

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 1,99€ 7,96
60 - 96€ 1,895€ 7,58
100 - 236€ 1,693€ 6,77
240 - 996€ 1,663€ 6,65
1000 +€ 1,633€ 6,53

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9934
Fabrikantnummer:
SIJ4108DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8L

Series

SIJ

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.13mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links