Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,45

(excl. BTW)

€ 7,804

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Op voorraad
  • Plus verzending 5.966 stuk(s) vanaf 04 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 3,225€ 6,45
50 - 98€ 2,915€ 5,83
100 - 248€ 2,60€ 5,20
250 - 998€ 2,54€ 5,08
1000 +€ 2,49€ 4,98

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9951
Fabrikantnummer:
SIR5607DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.007Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

112nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Less voltage drop

Reduces conduction loss

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links