Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 37.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5623DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 8,852

(excl. BTW)

€ 10,712

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,213€ 8,85
60 - 96€ 2,095€ 8,38
100 - 236€ 1,86€ 7,44
240 - 996€ 1,83€ 7,32
1000 +€ 1,79€ 7,16

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9953
Fabrikantnummer:
SIR5623DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

37.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.024Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links