Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 225 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5100DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,33

(excl. BTW)

€ 8,87

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.994 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 3,665€ 7,33
50 - 98€ 2,75€ 5,50
100 - 248€ 2,44€ 4,88
250 - 998€ 2,39€ 4,78
1000 +€ 2,34€ 4,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9971
Fabrikantnummer:
SIRS5100DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

225A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0025Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links