Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 227 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4301DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,21

(excl. BTW)

€ 9,934

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.950 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 4,105€ 8,21
50 - 98€ 4,025€ 8,05
100 - 248€ 3,71€ 7,42
250 - 998€ 3,64€ 7,28
1000 +€ 3,56€ 7,12

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9961
Fabrikantnummer:
SIRS4301DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

227A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0015Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

548nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Enhance power dissipation and lower RthJC

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links