Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,93

(excl. BTW)

€ 9,596

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.998 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 3,965€ 7,93
50 - 98€ 3,895€ 7,79
100 - 248€ 3,55€ 7,10
250 - 998€ 3,49€ 6,98
1000 +€ 3,43€ 6,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9967
Fabrikantnummer:
SIRS4401DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

198A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

588nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links