Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,51

(excl. BTW)

€ 9,088

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 3,755€ 7,51
50 - 98€ 2,82€ 5,64
100 - 248€ 2,51€ 5,02
250 - 998€ 2,455€ 4,91
1000 +€ 2,42€ 4,84

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9973
Fabrikantnummer:
SIRS5800DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

265A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0018Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links