Fabrikantnummer

Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3

RS-stocknr.:: 279-9973
Fabrikantnummer:: SIRS5800DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,69

(excl. BTW)

€ 10,514

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

5.924 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
2 - 48	€ 4,345	€ 8,69
50 - 98	€ 3,265	€ 6,53
100 - 248	€ 2,90	€ 5,80
250 - 998	€ 2,84	€ 5,68
1000 +	€ 2,795	€ 5,59

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 279-9973
Fabrikantnummer:: SIRS5800DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	265A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	SIRS
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0018Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	122nC
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 265A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series SIRS
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0018Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 122nC
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIRS5800DP-T1-GE3

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.