Vishay SiSS5623DN Type P-Channel MOSFET, 36.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5623DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.226,00

(excl. BTW)

€ 2.694,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,742€ 2.226,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
280-0000
Fabrikantnummer:
SISS5623DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

36.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiSS5623DN

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.046Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links